Notre transistor de puissance GaN de type classique est encapsulé dans un boîtier TO220 monté en surface et à haute diffusion thermique (taille : 15 x 9,9 x 4,6 mm) ; toutefois il ne suffit pas que le ...

Le laboratoire Laplace et l'Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor Mosfet en diamant dopé au bore qui bénéficie d'une grande stabilité à l'état bloqué et d'une faible résistance à l'état ...

Concevoir un transistor est souvent affaire de compromis. La diminution de la résistance pour réduire les pertes d’énergie par conversion s’accompagne naturellement d’une chute de la tension de ...

S'il n'est pas le plus ancien dans l'arbre généalogique des transistors, le « bipolaire », mis au point après le Fet (Field Effect Transistor), appartient tout de même plutôt au passé, davantage à ...

Refroidir les puces électroniques en faisant circuler un liquide de refroidissement directement à l'intérieur, c'est l'approche préconisée par des chercheurs de l'Ecole polytechnique fédérale de ...

Le laboratoire Laplace et l'Institut Néel ont réalisé ensemble un transistor Mosfet en diamant dopé au bore qui bénéficie d'une grande stabilité à l'état bloqué et d'une faible résistance à l'état ...